（中央社记者林巧琏高雄6日电）第三代半导体材料「碳化硅」（SiC）是发展电动车、6G通讯、国防、航太等关键要素。中山大学晶体研究中心创全国学研单位之先，成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶，近日将技转。

碳化硅散热性佳，在高电压和高功率的表现优异，但制作困难，晶体生长技术门槛高。中山大学新闻稿指出，台湾投入生产的企业目前发表的生长速度约在150-200um／hr之间，晶体稳定性与良率仍有待提升。

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中山大学材料与光电科学学系教授周明奇指出，台湾半导体产业独步全球，居全球之冠，但在推进高功率元件、电动车及低轨卫星等先进应用过程，缺乏成熟的第三代半导体材料碳化硅的晶体生长技术，发展因此受到限制。

周明奇指出，晶体研究中心已成功长出六吋导电型N-type 4H碳化硅SiC单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr。为了从实验室迈向工业化，团队不断调整生长参数、检验晶体品质。

今年2月，晶体研究中心确认生长的6吋导电型4H碳化硅SiC单晶生长速度更快、稳定性佳且具重复性。周明奇表示，后续将技转至长期产学合作的企业，为台厂补足半导体产业链最尖端的战略know-how。（编辑：黄世雅）1120306